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IDT6116LA20SO8

IDT6116LA20SO8

僅供參考

型號 IDT6116LA20SO8
PNEDA編號 IDT6116LA20SO8
描述 IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 2,880
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT6116LA20SO8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT6116LA20SO8
類別半導體內存IC內存
數據表
IDT6116LA20SO8, IDT6116LA20SO8數據表 (總頁數: 11, 大小: 111.49 KB)
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IDT6116LA20SO8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小16Kb (2K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁20ns
訪問時間20ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
供應商設備包裝24-SOIC

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

3.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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