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IDT71V3556S100BG8

IDT71V3556S100BG8

僅供參考

型號 IDT71V3556S100BG8
PNEDA編號 IDT71V3556S100BG8
描述 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 6,354
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT71V3556S100BG8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT71V3556S100BG8
類別半導體內存IC內存
數據表
IDT71V3556S100BG8, IDT71V3556S100BG8數據表 (總頁數: 28, 大小: 641.97 KB)
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IDT71V3556S100BG8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小4.5Mb (128K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率100MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱119-BGA
供應商設備包裝119-PBGA (14x22)

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內存格式

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內存大小

32Gb (4G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

83MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-VBGA

供應商設備包裝

100-VBGA (12x18)

CAV25512YE-GT3

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制造商

ON Semiconductor

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-TSSOP

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Silicon Motion, Inc.

系列

*

內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

71V424L10YGI8

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

36-SOJ

S25FL129P0XNFI000

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

5µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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