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IDT71V432S10PF

IDT71V432S10PF

僅供參考

型號 IDT71V432S10PF
PNEDA編號 IDT71V432S10PF
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 2,304
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT71V432S10PF資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT71V432S10PF
類別半導體內存IC內存

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IDT71V432S10PF規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小1Mb (32K x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間10ns
電壓-供電3.135V ~ 3.63V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LQFP
供應商設備包裝100-TQFP (14x14)

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時鐘頻率

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訪問時間

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工作溫度

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安裝類型

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制造商

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

80ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (32M x 4)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

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