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IDWD30G120C5XKSA1

IDWD30G120C5XKSA1

僅供參考

型號 IDWD30G120C5XKSA1
PNEDA編號 IDWD30G120C5XKSA1
描述 SIC SCHOTTKY 1200V 30A TO247-2
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,240
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDWD30G120C5XKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDWD30G120C5XKSA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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IDWD30G120C5XKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolSiC™+
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)87A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.65V @ 30A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr248µA @ 1200V
電容@ Vr,F1980pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-2
供應商設備包裝PG-TO247-2
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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630mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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80V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

700µA @ 80V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

470mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

600µA @ 60V

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