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IPA65R420CFDXKSA2

IPA65R420CFDXKSA2

僅供參考

型號 IPA65R420CFDXKSA2
PNEDA編號 IPA65R420CFDXKSA2
描述 LOW POWER_LEGACY
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,092
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPA65R420CFDXKSA2資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPA65R420CFDXKSA2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPA65R420CFDXKSA2規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™ CFD2
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8.7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs420mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 300µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs31.5nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds870pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)31.2W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO220 Full Pack
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1040pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 44W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

195A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 165A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11210pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

380W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

64A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

47mOhm @ 30.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

371nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7407pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

520W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

58A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

195nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8930pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

595W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET功能

-

功耗(最大值)

90W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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