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IPB057N06NATMA1

IPB057N06NATMA1

僅供參考

型號 IPB057N06NATMA1
PNEDA編號 IPB057N06NATMA1
描述 MOSFET N-CH 60V 17A TO263-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 21,576
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPB057N06NATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPB057N06NATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPB057N06NATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)17A (Ta), 45A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.7mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.8V @ 36µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs27nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2000pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)3W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

36mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

680pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

93W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

14Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.45nC @ 10V

Vgs(最大)

±40V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

73pF @ 25V

FET功能

-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

360pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 50W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

103mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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