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IPB25N06S3-25

IPB25N06S3-25

僅供參考

型號 IPB25N06S3-25
PNEDA編號 IPB25N06S3-25
描述 MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,024
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPB25N06S3-25資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPB25N06S3-25
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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IPB25N06S3-25規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)25A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs24.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 20µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs41nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1862pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)48W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TO263-3-2
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4420pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

92mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

220pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.8mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1770pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 77W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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6.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

1.56W (Ta)

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功耗(最大值)

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