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IPD06P003NATMA1

IPD06P003NATMA1

僅供參考

型號 IPD06P003NATMA1
PNEDA編號 IPD06P003NATMA1
描述 TRENCH 40<-<100V
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,672
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPD06P003NATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPD06P003NATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IPD06P003NATMA1, IPD06P003NATMA1數據表 (總頁數: 10, 大小: 996.31 KB)
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IPD06P003NATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs65mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1.04mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs39nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1600pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)83W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TO252-3
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.75nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

300mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SC-89-3

包裝/箱

SC-89, SOT-490

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Ta), 108A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 65A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

108nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4267pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 63W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 18A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

143nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4300pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 52µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 11.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 570µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2103pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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