IPD082N10N3GBTMA1
僅供參考
| 型號 | IPD082N10N3GBTMA1 |
| PNEDA編號 | IPD082N10N3GBTMA1 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3 |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 5,868 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸) |
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IPD082N10N3GBTMA1資源
| 品牌 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | IPD082N10N3GBTMA1 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-單 |
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IPD082N10N3GBTMA1規格
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 系列 | OptiMOS™ |
| FET類型 | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 100V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 80A (Tc) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 6V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 8.2mOhm @ 73A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 3.5V @ 75µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 55nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 3980pF @ 50V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 125W (Tc) |
| 工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 供應商設備包裝 | PG-TO252-3 |
| 包裝/箱 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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