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IPD60R400CEATMA1

IPD60R400CEATMA1

僅供參考

型號 IPD60R400CEATMA1
PNEDA編號 IPD60R400CEATMA1
描述 MOSFET N-CH 600V TO-252-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,568
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPD60R400CEATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPD60R400CEATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPD60R400CEATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™ CE
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10.3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs400mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 300µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs32nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds700pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)83W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252-3
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5210pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

790pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

90W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20.5nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.7mOhm @ 73A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 73µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

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