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IPG20N04S4L07AATMA1

IPG20N04S4L07AATMA1

僅供參考

型號 IPG20N04S4L07AATMA1
PNEDA編號 IPG20N04S4L07AATMA1
描述 MOSFET 2N-CH 8TDSON
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,852
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPG20N04S4L07AATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPG20N04S4L07AATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IPG20N04S4L07AATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 30µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs50nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3980pF @ 25V
功率-最大65W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount, Wettable Flank
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝PG-TDSON-8-10

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A, 26A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.4mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

827pF @ 15V

功率-最大

800mW, 900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30.1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2163pF @ 25V

功率-最大

64W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A, 6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

170pF @ 15V

功率-最大

2.1W, 2.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15pF @ 10V

功率-最大

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