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SM6K2T110

SM6K2T110

僅供參考

型號 SM6K2T110
PNEDA編號 SM6K2T110
描述 MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 26,946
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SM6K2T110資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SM6K2T110
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SM6K2T110, SM6K2T110數據表 (總頁數: 5, 大小: 88.38 KB)
PDFSM6K2T110數據表 封面
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SM6K2T110規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)200mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.4Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.4nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds15pF @ 10V
功率-最大300mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝SMT6

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A, 7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

230mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

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