IPG20N06S415ATMA2
僅供參考
型號 | IPG20N06S415ATMA2 |
PNEDA編號 | IPG20N06S415ATMA2 |
描述 | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
制造商 | Infineon Technologies |
單價 | 請求報價 |
庫存 | 6,930 |
倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
預計交貨 | 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸) |
Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
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IPG20N06S415ATMA2資源
品牌 | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
制造商零件編號 | IPG20N06S415ATMA2 |
類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET,MOSFET-陣列 |
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IPG20N06S415ATMA2規格
制造商 | Infineon Technologies |
系列 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
FET類型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET功能 | Standard |
漏極至源極電壓(Vdss) | 60V |
電流-25°C時的連續漏極(Id) | 20A |
Rds On(Max)@ Id,Vgs | 15.5mOhm @ 17A, 10V |
Vgs(th)(最大)@ ID | 4V @ 20µA |
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 29nC @ 10V |
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds | 2260pF @ 25V |
功率-最大 | 50W |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
包裝/箱 | 8-PowerVDFN |
供應商設備包裝 | PG-TDSON-8-4 |
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