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IPG20N06S415ATMA2

IPG20N06S415ATMA2

僅供參考

型號 IPG20N06S415ATMA2
PNEDA編號 IPG20N06S415ATMA2
描述 MOSFET 2N-CH 8TDSON
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,930
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPG20N06S415ATMA2資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPG20N06S415ATMA2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IPG20N06S415ATMA2規格

制造商Infineon Technologies
系列Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A
Rds On(Max)@ Id,Vgs15.5mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 20µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs29nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2260pF @ 25V
功率-最大50W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝PG-TDSON-8-4

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32.5mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.3nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

615pF @ 10V

功率-最大

1.15W (Ta)

工作溫度

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

46A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V

功率-最大

1.9W, 2.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Ta), 127A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2450pF @ 25V

功率-最大

3.2W (Ta), 89W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 1.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

590pF @ 10V

功率-最大

1.65W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 100A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 34mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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