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APTM50AM38STG

APTM50AM38STG

僅供參考

型號 APTM50AM38STG
PNEDA編號 APTM50AM38STG
描述 MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,948
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM50AM38STG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM50AM38STG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM50AM38STG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)90A
Rds On(Max)@ Id,Vgs45mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs246nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11200pF @ 25V
功率-最大694W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP4
供應商設備包裝SP4

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4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 6V

功率-最大

6.5W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1573pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

885pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

270nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6800pF @ 100V

功率-最大

250W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.4nC @ 4.5V

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