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IPL65R195C7AUMA1

IPL65R195C7AUMA1

僅供參考

型號 IPL65R195C7AUMA1
PNEDA編號 IPL65R195C7AUMA1
描述 MOSFET N-CH 4VSON
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,272
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPL65R195C7AUMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPL65R195C7AUMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPL65R195C7AUMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™ C7
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs195mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 290µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1150pF @ 400V
FET功能-
功耗(最大值)75W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-VSON-4
包裝/箱4-PowerTSFN

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta), 80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

185nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9310pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

188W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14.5A (Ta), 124A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4490pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.43W (Ta), 93.75W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

63mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

485pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

49W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

680mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 680mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 170µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

146pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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540mOhm @ 2.6A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

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