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IPP80R280P7XKSA1

IPP80R280P7XKSA1

僅供參考

型號 IPP80R280P7XKSA1
PNEDA編號 IPP80R280P7XKSA1
描述 MOSFET N-CH 800V 17A TO220
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 13,584
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPP80R280P7XKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPP80R280P7XKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPP80R280P7XKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)17A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs280mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 360µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs36nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1200pF @ 500V
FET功能Super Junction
功耗(最大值)101W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO220-3
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

61.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

145nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8061pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.1mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 14.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2520pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 36W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

330mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

125nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

400W (Tc)

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