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IPS031N03L G

IPS031N03L G

僅供參考

型號 IPS031N03L G
PNEDA編號 IPS031N03L-G
描述 MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,280
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPS031N03L G資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPS031N03L G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IPS031N03L G, IPS031N03L G數據表 (總頁數: 10, 大小: 410.44 KB)
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IPS031N03L G規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)90A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs51nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5300pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)94W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO251-3
包裝/箱TO-251-3 Stub Leads, IPak

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 21µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2748pF @ 20V

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.2nC @ 5V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

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FET功能

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功耗(最大值)

1.25W (Ta), 74.4W (Tc)

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