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IPS70R950CEAKMA1

IPS70R950CEAKMA1

僅供參考

型號 IPS70R950CEAKMA1
PNEDA編號 IPS70R950CEAKMA1
描述 MOSFET NCH 700V 7.4A TO251
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 13,770
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPS70R950CEAKMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPS70R950CEAKMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPS70R950CEAKMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)700V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs950mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 150µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15.3nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds328pF @ 100V
FET功能Super Junction
功耗(最大值)68W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO251
包裝/箱TO-251-3 Stub Leads, IPak

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.2mOhm @ 18.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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5.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.22Ohm @ 2.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 170µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

380pF @ 300V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

91A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2672pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

115W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

870mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

28W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

25W (Tc)

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