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IPU60R1K0CEAKMA2

IPU60R1K0CEAKMA2

僅供參考

型號 IPU60R1K0CEAKMA2
PNEDA編號 IPU60R1K0CEAKMA2
描述 MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3
制造商 Infineon Technologies
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庫存 7,668
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 27 - 二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPU60R1K0CEAKMA2資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPU60R1K0CEAKMA2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPU60R1K0CEAKMA2規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™ CE
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 130µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds280pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)61W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO251-3
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

310pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

299mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1505pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

94W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

81mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 10V

FET功能

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1.25W (Ta)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

102nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5850pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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Vgs(最大)

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