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IRF200S234

IRF200S234

僅供參考

型號 IRF200S234
PNEDA編號 IRF200S234
描述 TRENCH_MOSFETS
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF200S234資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF200S234
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF200S234規格

制造商Infineon Technologies
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)90A
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs16.9mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs162nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6484pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)417W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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300V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

52A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247AD (IXFH)

包裝/箱

TO-247-3

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

45A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.6mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 33µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1730pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D²PAK (TO-263AB)

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1245pF @ 4V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.84nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

55.4pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

360mW (Ta)

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Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

88W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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