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IRF40H210

IRF40H210

僅供參考

型號 IRF40H210
PNEDA編號 IRF40H210
描述 MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,376
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF40H210資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF40H210
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF40H210規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®, StrongIRFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.7V @ 150µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs152nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5406pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)125W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-PQFN (5x6)
包裝/箱8-PowerVDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

235mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

92nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4100pF @ 25V

FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

490nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12200pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

700W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

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7A (Ta), 25.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

550pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.1W (Ta), 65.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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