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IRF5850

IRF5850

僅供參考

型號 IRF5850
PNEDA編號 IRF5850
描述 MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,392
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF5850資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF5850
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF5850, IRF5850數據表 (總頁數: 9, 大小: 123.45 KB)
PDFIRF5850TR數據表 封面
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IRF5850規格

制造商Infineon Technologies
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs135mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.4nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds320pF @ 15V
功率-最大960mW
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝6-TSOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A, 3.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1082pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.9mOhm @ 27A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 35µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1310pF @ 13V

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

840pF @ 10V

功率-最大

1.2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 7A, 10V, 50mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.2nC, 10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF, 480pF @ 15V

功率-最大

2W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A, 6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

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