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FW906-TL-E

FW906-TL-E

僅供參考

型號 FW906-TL-E
PNEDA編號 FW906-TL-E
描述 MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A 8SOP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FW906-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FW906-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FW906-TL-E, FW906-TL-E數據表 (總頁數: 6, 大小: 433.25 KB)
PDFFW906-TL-E數據表 封面
FW906-TL-E數據表 頁面 2 FW906-TL-E數據表 頁面 3 FW906-TL-E數據表 頁面 4 FW906-TL-E數據表 頁面 5 FW906-TL-E數據表 頁面 6

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FW906-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A, 6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs24mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds690pF @ 10V
功率-最大2.5W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 200mA, 2.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET類型

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FET功能

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.8A, 4.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

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27mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 5mA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 10V

功率-最大

1W

工作溫度

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