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IRF7204

IRF7204

僅供參考

型號 IRF7204
PNEDA編號 IRF7204
描述 MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,048
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7204資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7204
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF7204, IRF7204數據表 (總頁數: 9, 大小: 145.19 KB)
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IRF7204規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs60mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds860pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

38mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

340pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3Ohm @ 1.15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42.7mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

125nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.23W (Ta), 40W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2175pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 11.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

129W (Tc)

工作溫度

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