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IRF7303PBF

IRF7303PBF

僅供參考

型號 IRF7303PBF
PNEDA編號 IRF7303PBF
描述 MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,236
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7303PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7303PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRF7303PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds520pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V

功率-最大

38W (Tc), 83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

175A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 87.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

224nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13700pF @ 25V

功率-最大

694W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V

功率-最大

12W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-PowerTDFN

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

430mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

175pF @ 16V

功率-最大

250mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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