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IRF7316TR

IRF7316TR

僅供參考

型號 IRF7316TR
PNEDA編號 IRF7316TR
描述 MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,122
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7316TR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7316TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF7316TR, IRF7316TR數據表 (總頁數: 7, 大小: 103.91 KB)
PDFIRF7316TR數據表 封面
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IRF7316TR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs58mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs34nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds710pF @ 25V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A, 2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

190pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

41mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1500pF @ 6V

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.1A, 12.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 10.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

608pF @ 15V

功率-最大

1W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

139A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

350nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9875pF @ 25V

功率-最大

390W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

168mOhm @ 1.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.1nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

110pF @ 10V

功率-最大

1.25W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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