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IRF7338PBF

IRF7338PBF

僅供參考

型號 IRF7338PBF
PNEDA編號 IRF7338PBF
描述 MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,878
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7338PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7338PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRF7338PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.3A, 3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs34mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.6nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds640pF @ 9V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

460pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 15V

功率-最大

6W

工作溫度

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 30V

功率-最大

1.4W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.6A (Ta), 43.6A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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