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SI1553CDL-T1-GE3

SI1553CDL-T1-GE3

僅供參考

型號 SI1553CDL-T1-GE3
PNEDA編號 SI1553CDL-T1-GE3
描述 MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 98,046
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1553CDL-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1553CDL-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI1553CDL-T1-GE3, SI1553CDL-T1-GE3數據表 (總頁數: 16, 大小: 281.8 KB)
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SI1553CDL-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)700mA, 500mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs390mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.8nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds38pF @ 10V
功率-最大340mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-70-6 (SOT-363)

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2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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31mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27.3nC @ 5V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

945pF @ 20V

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