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IRF7750GTRPBF

IRF7750GTRPBF

僅供參考

型號 IRF7750GTRPBF
PNEDA編號 IRF7750GTRPBF
描述 MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,138
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7750GTRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7750GTRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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IRF7750GTRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs30mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs39nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1700pF @ 15V
功率-最大1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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4A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

84mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

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Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

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40nC @ 4.5V

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