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SI6967DQ-T1-E3

SI6967DQ-T1-E3

僅供參考

型號 SI6967DQ-T1-E3
PNEDA編號 SI6967DQ-T1-E3
描述 MOSFET 2P-CH 8V 8TSSOP
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 3,690
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI6967DQ-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI6967DQ-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI6967DQ-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)8V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs30mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID450mV @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs40nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14Ohm

Vgs(th)(最大)@ ID

10mV @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 5V

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

850mA (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

48pF @ 15V, 50pF @ 15V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

94nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

72A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 72A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 5.4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

518nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14000pF @ 25V

功率-最大

416W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 25V

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