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IRF7904PBF

IRF7904PBF

僅供參考

型號 IRF7904PBF
PNEDA編號 IRF7904PBF
描述 MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 25,122
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7904PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7904PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRF7904PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.6A, 11A
Rds On(Max)@ Id,Vgs16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.25V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds910pF @ 15V
功率-最大1.4W, 2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

180mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.2A, 4.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 6.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

760pF @ 20V

功率-最大

900mW

工作溫度

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4507pF @ 25V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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