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IRF9953TRPBF

IRF9953TRPBF

僅供參考

型號 IRF9953TRPBF
PNEDA編號 IRF9953TRPBF
描述 MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF9953TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF9953TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRF9953TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs250mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds190pF @ 15V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 12.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1890pF @ 15V

功率-最大

1.81W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

250mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 25V

功率-最大

310mW

工作溫度

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安裝類型

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

230mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

310mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

175A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 87.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

224nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13700pF @ 25V

功率-最大

694W

工作溫度

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安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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