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IRF9956PBF

IRF9956PBF

僅供參考

型號 IRF9956PBF
PNEDA編號 IRF9956PBF
描述 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,176
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF9956PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF9956PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRF9956PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds190pF @ 15V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

1200V (1.2kV)

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 25A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

620nC @ 15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 800V

功率-最大

20mW

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Chassis Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 100A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 34mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

330nC @ 15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8200pF @ 10V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

280mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

150mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

410mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 410mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

43.2pF @ 15V

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