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IRF9956TR

IRF9956TR

僅供參考

型號 IRF9956TR
PNEDA編號 IRF9956TR
描述 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,330
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF9956TR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF9956TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
IRF9956TR, IRF9956TR數據表 (總頁數: 7, 大小: 161.7 KB)
PDFIRF9956TR數據表 封面
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IRF9956TR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds190pF @ 15V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1020pF @ 15V

功率-最大

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.6W

工作溫度

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

330mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

功率-最大

3W

工作溫度

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Surface Mount

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A, 28A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.6mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1060pF @ 15V

功率-最大

2.4W, 3.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A, 11A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

766pF @ 15V

功率-最大

1.5W, 2.4W

工作溫度

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