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IRFB4410ZGPBF

IRFB4410ZGPBF

僅供參考

型號 IRFB4410ZGPBF
PNEDA編號 IRFB4410ZGPBF
描述 MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 20,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFB4410ZGPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFB4410ZGPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFB4410ZGPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)97A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 150µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs120nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4820pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)230W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2453pF @ 25V

FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

76nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2942pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

223W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

165mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1950pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

205W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

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