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IRFI1310NPBF

IRFI1310NPBF

僅供參考

型號 IRFI1310NPBF
PNEDA編號 IRFI1310NPBF
描述 MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 19,794
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFI1310NPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFI1310NPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFI1310NPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)24A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs36mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs120nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1900pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)56W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB Full-Pak
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 37A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 24V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

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制造商

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HEXFET®

FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 930mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.9nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

110pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

540mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

8.3W (Ta), 83W (Tc)

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