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IRFR13N20DCTRRP

IRFR13N20DCTRRP

僅供參考

型號 IRFR13N20DCTRRP
PNEDA編號 IRFR13N20DCTRRP
描述 MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,770
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 13 - 四月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFR13N20DCTRRP資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFR13N20DCTRRP
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFR13N20DCTRRP, IRFR13N20DCTRRP數據表 (總頁數: 11, 大小: 131.39 KB)
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IRFR13N20DCTRRP規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs235mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs38nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds830pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)110W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1800pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

92mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.3nC @ 10V

Vgs(最大)

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350pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

38W (Tc)

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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