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IRFR210BTM_FP001

IRFR210BTM_FP001

僅供參考

型號 IRFR210BTM_FP001
PNEDA編號 IRFR210BTM_FP001
描述 MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
制造商 ON Semiconductor
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庫存 7,182
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFR210BTM_FP001資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFR210BTM_FP001
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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IRFR210BTM_FP001規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.5Ohm @ 1.35A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.3nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds225pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 26W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.2mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

310nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9080pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 39W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A (Ta), 68A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1080pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.7W (Ta), 35.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-DFN (5x6)

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制造商

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A (Ta), 20A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

820pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.7W (Ta), 20W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

29A (Ta), 32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

49nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2010pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

4.2W (Ta), 41W (Tc)

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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FET功能

-

功耗(最大值)

1.28W (Ta), 56.6W (Tc)

工作溫度

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