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IRFR3711

IRFR3711

僅供參考

型號 IRFR3711
PNEDA編號 IRFR3711
描述 MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,618
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFR3711資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFR3711
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFR3711, IRFR3711數據表 (總頁數: 11, 大小: 163.85 KB)
PDFIRFR3711TRR數據表 封面
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IRFR3711規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs44nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2980pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 120W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2070pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

4.5W (Ta), 31W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 780mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

360pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

208W (Tc)

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