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IRFR6215CPBF

IRFR6215CPBF

僅供參考

型號 IRFR6215CPBF
PNEDA編號 IRFR6215CPBF
描述 MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,768
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFR6215CPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFR6215CPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFR6215CPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs295mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs66nC @ 10V
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds860pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)110W (Tc)
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

58A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.35mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2450pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

48W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

340mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

28.5pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

320mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

810mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.74nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60.67pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

460mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vgs(th)(最大)@ ID

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