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IRFU120ATU

IRFU120ATU

僅供參考

型號 IRFU120ATU
PNEDA編號 IRFU120ATU
描述 MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,830
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFU120ATU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFU120ATU
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFU120ATU, IRFU120ATU數據表 (總頁數: 7, 大小: 256.26 KB)
PDFIRFU120ATU數據表 封面
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IRFU120ATU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8.4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs200mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22nC @ 10V
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds480pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 32W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

97A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.6mOhm @ 58A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

116nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4476pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

221W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

TO-220-3

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2550pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®, StrongIRFET™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

152nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5406pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 196µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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-

FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

98mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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