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IRFU3706PBF

IRFU3706PBF

僅供參考

型號 IRFU3706PBF
PNEDA編號 IRFU3706PBF
描述 MOSFET N-CH 20V 75A I-PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,196
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFU3706PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFU3706PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFU3706PBF, IRFU3706PBF數據表 (總頁數: 11, 大小: 221.02 KB)
PDFIRFR3706TRLPBF數據表 封面
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IRFU3706PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)75A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.8V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs35nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2410pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)88W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝IPAK (TO-251)
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

95mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 860µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2930pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

272W (Tc)

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安裝類型

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系列

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

95nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3200pF @ 38V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.2W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

78nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4707pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

158W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DPAK

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制造商

Nexperia USA Inc.

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

72A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

97.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

182W (Tc)

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功耗(最大值)

3.1W (Ta), 123W (Tc)

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