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IRG4PH20KD

IRG4PH20KD

僅供參考

型號 IRG4PH20KD
PNEDA編號 IRG4PH20KD
描述 IGBT 1200V 11A 60W TO247AC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,120
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG4PH20KD資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG4PH20KD
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
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IRG4PH20KD規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)11A
電流-集電極脈沖(Icm)22A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic4.3V @ 15V, 5A
功率-最大60W
開關能量620µJ (on), 300µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用28nC
25°C時的Td(開/關)50ns/100ns
測試條件800V, 5A, 50Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)51ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AC

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

30A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.75V @ 15V, 3A

功率-最大

65W

開關能量

55µJ (on), 85µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

19nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/72ns

測試條件

390V, 3A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

23.5ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220AB

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.55V @ 15V, 2.5A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

60nC

25°C時的Td(開/關)

35ns/225ns

測試條件

600V, 15A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

13A

電流-集電極脈沖(Icm)

20A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 2.6A

功率-最大

104W

開關能量

96µJ (on), 355µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

30nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/205ns

測試條件

960V, 2.6A, 51Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220-3

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Infineon Technologies

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電流-集電極脈沖(Icm)

7.5A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 2.5A

功率-最大

53.6W

開關能量

50µJ (on), 40µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

17.1nC

25°C時的Td(開/關)

10ns/128ns

測試條件

400V, 2.5A, 68Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

31ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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