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IRG4PH20KDPBF

IRG4PH20KDPBF

僅供參考

型號 IRG4PH20KDPBF
PNEDA編號 IRG4PH20KDPBF
描述 IGBT 1200V 11A 60W TO247AC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG4PH20KDPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG4PH20KDPBF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRG4PH20KDPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)11A
電流-集電極脈沖(Icm)22A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic4.3V @ 15V, 5A
功率-最大60W
開關能量620µJ (on), 300µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用28nC
25°C時的Td(開/關)50ns/100ns
測試條件800V, 5A, 50Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)51ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AC

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當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電流-集電極脈沖(Icm)

12A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 4A

功率-最大

65W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

13.5nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/69ns

測試條件

400V, 4A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

40ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

9A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.62V @ 15V, 5A

功率-最大

38W

開關能量

160µJ (on), 100µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

19nC

25°C時的Td(開/關)

11ns/51ns

測試條件

480V, 5A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

220A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 30A

功率-最大

208W

開關能量

500µJ (on), 680µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

170nC

25°C時的Td(開/關)

36ns/137ns

測試條件

480V, 30A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247-3

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制造商

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Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

23A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 20A

功率-最大

56W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

40nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/73ns

測試條件

400V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

58ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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