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IRG4RC10KD

IRG4RC10KD

僅供參考

型號 IRG4RC10KD
PNEDA編號 IRG4RC10KD
描述 IGBT 600V 9A 38W DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,280
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG4RC10KD資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG4RC10KD
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
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IRG4RC10KD規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)9A
電流-集電極脈沖(Icm)18A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.62V @ 15V, 5A
功率-最大38W
開關能量250µJ (on), 140µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用19nC
25°C時的Td(開/關)49ns/97ns
測試條件480V, 5A, 100Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)28ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-Pak

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

280A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 32A

功率-最大

400W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

142nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

1.5µs

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 25A

功率-最大

521W

開關能量

742µJ (on), 427µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

203nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/122ns

測試條件

600V, 25A, 4.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

160A

電流-集電極脈沖(Icm)

480A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 120A

功率-最大

833W

開關能量

4.1mJ (on), 2.8mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

772nC

25°C時的Td(開/關)

33ns/310ns

測試條件

400V, 120A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

150µJ (on), 700µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

90nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/150ns

測試條件

480V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

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反向恢復時間(trr)

-

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