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IRG4RC10UDTRLP

IRG4RC10UDTRLP

僅供參考

型號 IRG4RC10UDTRLP
PNEDA編號 IRG4RC10UDTRLP
描述 IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,210
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG4RC10UDTRLP資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG4RC10UDTRLP
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRG4RC10UDTRLP規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)8.5A
電流-集電極脈沖(Icm)34A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.6V @ 15V, 5A
功率-最大38W
開關能量140µJ (on), 120µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用15nC
25°C時的Td(開/關)40ns/87ns
測試條件480V, 5A, 100Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)28ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-Pak

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當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.65V @ 15V, 15A

功率-最大

357W

開關能量

420µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

156nC

25°C時的Td(開/關)

-/170ns

測試條件

600V, 15A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電流-集電極脈沖(Icm)

24A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 3A

功率-最大

25W

開關能量

125µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

16nC

25°C時的Td(開/關)

12.5ns/105ns

測試條件

480V, 3A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

45ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

170A

電流-集電極脈沖(Icm)

340A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 85A

功率-最大

962W

開關能量

6mJ (on), 3.8mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

660nC

25°C時的Td(開/關)

43ns/300ns

測試條件

600V, 85A, 4.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電流-集電極脈沖(Icm)

25A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 3A

功率-最大

22W

開關能量

57µJ (on), 25µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

15nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/60ns

測試條件

300V, 3A, 80Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Through Hole

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