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IRG7CH23K10EF

IRG7CH23K10EF

僅供參考

型號 IRG7CH23K10EF
PNEDA編號 IRG7CH23K10EF
描述 IGBT 1200V DIE
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,560
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG7CH23K10EF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG7CH23K10EF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRG7CH23K10EF規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
功率-最大-
開關能量-
輸入類型-
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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電流-集電極脈沖(Icm)

84A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 25A

功率-最大

160W

開關能量

620µJ (on), 330µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/140ns

測試條件

480V, 25A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

66A

電流-集電極脈沖(Icm)

152A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 39A

功率-最大

140W

開關能量

4mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

125nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/250ns

測試條件

480V, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

23A

電流-集電極脈沖(Icm)

92A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 12A

功率-最大

100W

開關能量

130µJ (on), 130µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

51nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/99ns

測試條件

480V, 12A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

120A

電流-集電極脈沖(Icm)

180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 60A

功率-最大

349W

開關能量

1.69mJ (on), 630µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

102nC

25°C時的Td(開/關)

26ns/87ns

測試條件

400V, 60A, 6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

34.6ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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1000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

34A

電流-集電極脈沖(Icm)

68A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4V @ 15V, 17A

功率-最大

150W

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3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

100ns/500ns

測試條件

800V, 17A, 82Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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