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IRG7CH28UED

IRG7CH28UED

僅供參考

型號 IRG7CH28UED
PNEDA編號 IRG7CH28UED
描述 IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,808
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG7CH28UED資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG7CH28UED
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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IRG7CH28UED規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
功率-最大-
開關能量-
輸入類型-
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.35V @ 15V, 25A

功率-最大

250W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

204nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

86A

電流-集電極脈沖(Icm)

195A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 40A

功率-最大

300W

開關能量

800µJ (on), 1.25mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

68nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 15A

功率-最大

259W

開關能量

550µJ (on), 850µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

53nC

25°C時的Td(開/關)

26ns/122ns

測試條件

600V, 15A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

270ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

28A

電流-集電極脈沖(Icm)

58A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 16A

功率-最大

100W

開關能量

600µJ (on), 580µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

67nC

25°C時的Td(開/關)

60ns/160ns

測試條件

480V, 16A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

42ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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系列

GenX3™, XPT™

IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

105A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

230W

開關能量

430µJ (on), 350µJ (off)

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門禁費用

30nC

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19ns/80ns

測試條件

400V, 20A, 20Ohm, 15V

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