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IRG7T50HF12A

IRG7T50HF12A

僅供參考

型號 IRG7T50HF12A
PNEDA編號 IRG7T50HF12A
描述 MOD IGBT 1200V 50A POWIR 34
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,902
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG7T50HF12A資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG7T50HF12A
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
IRG7T50HF12A, IRG7T50HF12A數據表 (總頁數: 6, 大小: 906.33 KB)
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IRG7T50HF12A規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)100A
功率-最大340W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.2V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce6.7nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱POWIR® 34 Module
供應商設備包裝POWIR® 34

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

功率-最大

20mW

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.25V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.45nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

制造商

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IGBT類型

-

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

160A

功率-最大

416W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 120A

當前-集電極截止(最大值)

200µA

輸入電容(Cies)@ Vce

11nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

ISOPLUS227™

供應商設備包裝

ISOPLUS227™

DF400R12KE3HOSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

580A

功率-最大

2000W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

28nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

Module

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-

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

450A

功率-最大

3400W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 450A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

45nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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