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IRG8CH37K10F

IRG8CH37K10F

僅供參考

型號 IRG8CH37K10F
PNEDA編號 IRG8CH37K10F
描述 IGBT 1200V 100A DIE
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,712
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRG8CH37K10F資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRG8CH37K10F
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
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IRG8CH37K10F規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 35A
功率-最大-
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用210nC
25°C時的Td(開/關)35ns/190ns
測試條件600V, 35A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Infineon Technologies

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

47A

電流-集電極脈沖(Icm)

54A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 18A

功率-最大

206W

開關能量

95µJ (on), 350µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

35nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/105ns

測試條件

400V, 18A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

23A

電流-集電極脈沖(Icm)

92A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 12A

功率-最大

75W

開關能量

115µJ (on), 135µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

49nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/60ns

測試條件

300V, 12A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

60ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-3PF

制造商

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系列

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 20A

功率-最大

220W

開關能量

270µJ (on), 90µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

38nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/42ns

測試條件

300V, 20A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

60ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

225A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.68V @ 15V, 30A

功率-最大

63.5W

開關能量

330µJ (on), 760µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

72nC

25°C時的Td(開/關)

35ns/120ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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